[发明专利]一种垂直定向的核壳型氧化钨氧化铜异质结纳米线阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201510198920.3 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN106145030A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;柳杨;张晓娟;谢威威;胡明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N27/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直定向的核壳型氧化钨氧化铜异质结纳米线阵列及其制备方法，包括沉积钨薄膜材料层、一维氧化钨纳米线的结晶生长、一维氧化钨纳米线的退火处理、退火后的氧化钨纳米线表面镀铜以及铜的退火热处理。本发明的有益效果是将这一材料应用于气敏传感器其异质结形成的特殊能带结构能够加速电子空穴的传输速度，提供气体反应的灵敏度，且其巨大的比表面积与气体接触，能提高其响应速度。该异质结与一维纳米线阵列结合的结构在降低传感器工作温度、提高传感器的灵敏度与响应速度方面将会有很大的研究空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 定向 核壳型 氧化钨 氧化铜 异质结 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直定向的核壳型氧化钨氧化铜异质结纳米线阵列，其特征在于：氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化铜异质结纳米线组成，氧化钨/氧化铜异质结纳米线长度为800—1200nm，所述氧化钨纳米线的直径为15‑25nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化铜的厚度为5‑15nm，氧化钨和氧化铜形成了同轴核壳异质结构。
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