[发明专利]化学机械研磨后残留物的去除方法在审
| 申请号： | 201510199112.9 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN106158618A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 唐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械研磨后残留物的去除方法，在使用清洗刷刷洗晶圆之前，将晶圆依次放入第一清洗槽、第二清洗槽及第三清洗槽中浸泡，所述第一清洗槽及第三清洗槽中均盛装有去离子水，所述第二清洗槽中盛装有酸性溶液，通过第二清洗槽中的酸性溶液对残留物进行预去除，初步去除晶圆表面的部分残留物，后续再使用清洗刷对所述晶圆进行刷洗，可进一步去除晶圆表面的残留物，达到极佳的清洗效果，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 残留物 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一化学机械研磨后的晶圆；及使用清洗刷对所述晶圆进行刷洗，同时向所述晶圆喷洒酸性溶液；其特征在于，使用清洗刷对所述晶圆进行刷洗之前，还包括：将所述晶圆依次放入第一清洗槽、第二清洗槽及第三清洗槽中浸泡，所述第一清洗槽及第三清洗槽中均盛装有去离子水，所述第二清洗槽中盛装有酸性溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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