[发明专利]激光退火方法以及装置有效
申请号: | 201510199238.6 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN104882371B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 河口纪仁;川上隆介;西田健一郎;M.正木;森田胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社IHI |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/073;B23K26/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 闫小龙,姜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及激光退火方法以及装置。在透镜阵列方式的均化器光学系统的情况下,一边使长轴用透镜阵列(20a、20b)在与线状光束的长轴方向对应的方向(X方向)往复移动,一边进行激光照射,由此,入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜(长轴用聚光透镜22)的激光(1)的入射角以及强度按照每次发射而变化,所以,纵向条纹被大幅度降低。另外,一边使短轴用透镜阵列(26a、26b)在与线状光束的长轴方向对应的方向(Y方向)往复移动,一边进行激光照射,由此,入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜(投影透镜30)的激光(1)的入射角以及强度按照每次发射而变化,所以,横向条纹被大幅度降低。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种激光退火装置,对由脉冲振荡产生的激光进行整形,在被照射物的表面聚光成线状光束,以重复照射激光的方式使线状光束对被照射物在线状光束的短轴方向相对地扫描,利用激光照射对被照射物的表面进行退火处理,其特征在于,具有:短轴用透镜阵列,将激光在与线状光束的短轴方向对应的方向上分割为多个;短轴用聚光透镜,在成像面上将被所述短轴用透镜阵列分割后的激光在短轴方向上叠加;投影透镜,将成像面的短轴像以预定倍率缩小投影在被照射物的表面;短轴用聚光透镜移动装置,在激光照射中,使所述短轴用聚光透镜在与线状光束的短轴方向对应的方向上往复移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造