[发明专利]功率用半导体器件

摘要

本发明提供功率用半导体器件，包括包含纵式MOSFET的元件部和与元件部邻接的二极管部，该纵式MOSFET包括第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层；第二导电型的第三半导体层；第一导电型的第四半导体层；第二导电型的第五半导体层；覆盖从第四半导体层或第五半导体层的表面起贯穿第三半导体层直到第二半导体层的多个沟槽的内表面的绝缘膜；邻接的沟槽以第一间隔设置；第一埋入导电层；第二埋入导电层；层间绝缘膜；第一主电极以及第二主电极，该二极管部包括第一半导体层至第三半导体层、第五半导体层、绝缘膜、第一埋入导电层及第二埋入导电层、层间绝缘膜以及第一主电极及第二主电极，邻接的沟槽以第二间隔设置。

主权项

一种功率用半导体器件，具有：包含纵式MOSFET的元件部；以及与所述元件部邻接的二极管部，该纵式MOSFET包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层的表面上形成；第一导电型的第三半导体层，在所述第二半导体层的表面上选择性地形成；多个绝缘膜，从所述第三半导体层的表面起直到所述第一半导体层，邻接的所述绝缘膜以第一间隔设置；第一导电层，隔着所述绝缘膜位于所述第一半导体层内；第二导电层，隔着所述绝缘膜与所述第二半导体层相邻；层间绝缘膜，在所述第二导电层上形成；第一主电极，电连接到所述第一半导体层；以及第二主电极，在所述第三半导体层以及所述层间绝缘膜上形成并且电连接到所述第三半导体层，该二极管部包括；所述第一半导体层、在所述第一半导体层的表面上形成的第二导电型的第四半导体层、多个所述绝缘膜、所述第一导电层、所述层间绝缘膜、以及所述第一主电极及所述第二主电极，邻接的所述绝缘膜以比所述第一间隔大的第二间隔设置，所述元件部中的所述第一半导体层的杂质浓度以及所述二极管部中的所述第一半导体层的杂质浓度是相同的杂质浓度，所述元件部中的所述第二半导体层的杂质浓度以及所述二极管部中的所述第二半导体层的杂质浓度是相同的杂质浓度。