[发明专利]超结型功率管的缓冲层的制备方法和超结型功率管在审
| 申请号： | 201510199763.8 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN106158659A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超结型功率管的缓冲层的制备方法和超结型功率管，其中，超结型功率管的缓冲层的制备方法，包括：在形成N型外延层的N型衬底上形成缓冲槽，所述缓冲槽的深度小于所述N型外延层的厚度，与所述缓冲槽接触的所述N型外延层即构成所述超结型功率管的导电沟道；在所述缓冲槽内形成介质层；在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，以完成所述超结型功率管的缓冲层的制备，其中，所述介质层的表层在所述P型多晶硅层和所述N型外延层的感应作用下产生空穴载流子以保证所述导电沟道内电荷平衡。通过本发明的技术方案，实现了超结型功率管的低成本的批量生产，同时保证了超结型功率管的耐高压特性和器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超结型 功率管 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，包括：在形成N型外延层的N型衬底上形成缓冲槽，所述缓冲槽的深度小于所述N型外延层的厚度，与所述缓冲槽接触的所述N型外延层即构成所述超结型功率管的导电沟道；在所述缓冲槽内形成介质层；在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，以完成所述超结型功率管的缓冲层的制备，其中，所述介质层的表层在所述P型多晶硅层和所述N型外延层的感应作用下产生空穴载流子以保证所述导电沟道内电荷平衡。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510199763.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
