[发明专利]一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件有效
| 申请号： | 201510200519.9 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104749853B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 任广军;谭天波;刘迎;汪亚琦 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/365;H01S1/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件，由石墨烯层、硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体构成，石墨烯层为单层石墨烯层；硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体相互耦合，石墨烯层平铺于硅质锯齿一维光子晶体上；硅和二氧化硅的相对介电常数分别为11.7、3.9，锯齿劈角为45°，空间重复周期为0.3μm。本发明的优点是该基于石墨烯的太赫兹吸收器件具有结构简单、尺寸小、制作方便、便于集成、吸收效率高等优点，为研制高效、微型的太赫兹吸收器件提供了新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 赫兹 吸收 器件 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件，其特征在于：由石墨烯层、硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体构成，石墨烯层为单层石墨烯层；硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体相互耦合，石墨烯层平铺于硅质锯齿一维光子晶体上；硅和二氧化硅的相对介电常数分别为11.7、3.9，锯齿劈角为45°，空间重复周期为0.3μm。
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