[发明专利]一种碳纳米管太赫兹天线有效
| 申请号： | 201510200520.1 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104810609B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 任广军;汪亚琦;谭天波;刘迎 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管太赫兹天线，采用硅基底上碳纳米管嵌套结构，由硅基底、碳纳米管、嵌套材料铜线和交流电源组成，碳纳米管构成阵列设置于硅基底上，碳纳米管的半径为入射波长的0.0001倍，两段碳纳米管之间的缝隙宽度为入射波长的0.01倍，交流电源位于两段碳纳米管之间的缝隙处，并与两边的嵌套材料铜线连接，整个天线的长度为入射波波长的0.5倍。本发明的优点是该碳纳米管太赫兹天线模型中，由于碳纳米管与铜线之间的耦合效应和碳纳米管之间的辐射叠加效应，使天线的辐射增益显著提高；结合太赫兹技术，碳纳米管太赫兹天线能够更好的应用在如国防系统的设备研究上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 赫兹 天线 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管太赫兹天线，其特征在于：采用硅基底上碳纳米管嵌套结构，由硅基底、碳纳米管、嵌套材料铜线和交流电源组成，碳纳米管构成阵列设置于硅基底上，碳纳米管的半径为入射波长的0.0001倍，两段碳纳米管之间的缝隙宽度为入射波长的0.01倍，交流电源位于两段碳纳米管之间的缝隙处，并与两边的嵌套材料铜线连接，整个天线的长度为入射波波长的0.5倍。
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