[发明专利]制备和使用光敏材料的方法有效
| 申请号： | 201510201052.X | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105093842B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;吴振豪;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施例中，提供了制备和使用光敏材料的方法，该方法包括选择光刻胶，该光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种。基于光刻胶选择第一附加材料或第二附加材料。第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分，如果提供正性光刻胶，则选择第一附加材料。第二附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和酸组分，如果提供负性光刻胶，则选择第二附加材料。将所选择的光刻胶和所选择的附加材料施加至目标衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 使用 光敏 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供光刻胶，其中，所述光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种；选择附加材料，其中，所述附加材料是第一附加材料和第二附加材料中的一种，其中，所述第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分；其中，所述第二附加材料具有附接至所述聚合物链的氟组分和酸组分，其中，选择所述附加材料包括：如果提供所述光刻胶包括提供所述正性光刻胶，则选择所述第一附加材料，并且如果提供所述光刻胶包括选择所述负性光刻胶，则选择所述第二附加材料；以及将所提供的所述光刻胶和所选择的所述附加材料施加至目标衬底；使施加的所述附加材料漂浮至施加的所述光刻胶的顶部区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510201052.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
