[发明专利]二维余弦波形面陷光结构及基于该结构的太阳能薄膜电池有效
申请号: | 201510201982.5 | 申请日: | 2015-04-27 |
公开(公告)号: | CN104867995B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 郭小伟;刘佳 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 杨保刚,晏辉 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维余弦波形面陷光结构及基于该结构的太阳能薄膜电池,包括电池吸收层,电池吸收层的上下面均具有余弦波形的陷光结构。本发明提出的周期性二维余弦波形面陷光结构可以数值优化,有能力将吸收效率推进到理论极限,从而大幅提高电池转换效率。同时,周期性二维余弦波形面陷光结构比现有陷光结构在制作上更实用,其面型可以通过简单双光束干涉光刻的方法进行制备,并且成形面积大,可以克服现有陷光结构制备方法中的面积受限制、结构无序等缺点。 | ||
搜索关键词: | 二维 余弦 波形 面陷光 结构 基于 太阳能 薄膜 电池 | ||
【主权项】:
周期性二维余弦波形面陷光结构的硅基薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,其步骤如下:在金属电极的基底上沉积透明导电氧化物,用双光束干涉光刻制作余弦波形的陷光结构,然后依次沉积和掺杂制作硅吸收层PN结,再用干涉光刻制作余弦波形的陷光结构,最后沉积上透明导电氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的