[发明专利]二维余弦波形面陷光结构及基于该结构的太阳能薄膜电池有效

专利信息
申请号: 201510201982.5 申请日: 2015-04-27
公开(公告)号: CN104867995B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 郭小伟;刘佳 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 代理人: 杨保刚,晏辉
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种二维余弦波形面陷光结构及基于该结构的太阳能薄膜电池,包括电池吸收层,电池吸收层的上下面均具有余弦波形的陷光结构。本发明提出的周期性二维余弦波形面陷光结构可以数值优化,有能力将吸收效率推进到理论极限,从而大幅提高电池转换效率。同时,周期性二维余弦波形面陷光结构比现有陷光结构在制作上更实用,其面型可以通过简单双光束干涉光刻的方法进行制备,并且成形面积大,可以克服现有陷光结构制备方法中的面积受限制、结构无序等缺点。
搜索关键词: 二维 余弦 波形 面陷光 结构 基于 太阳能 薄膜 电池
【主权项】:
周期性二维余弦波形面陷光结构的硅基薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,其步骤如下:在金属电极的基底上沉积透明导电氧化物,用双光束干涉光刻制作余弦波形的陷光结构,然后依次沉积和掺杂制作硅吸收层PN结,再用干涉光刻制作余弦波形的陷光结构,最后沉积上透明导电氧化物。
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