[发明专利]半导体 ESD 器件

摘要

一种半导体衬底上的静电放电(ESD)保护器件及其制造方法。所述器件具有有源区。有源区包括栅极。有源区还包括源极，源极包括具有源极触点的硅化物部分。有源区还包括漏极，漏极包括具有漏极触点的硅化物部分。源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸。漏极触点沿与器件轴正交的方向相对于源极触点横向偏移，由此源极触点和漏极触点之间的电流具有横向分量。器件还包括横向位于漏极触点和源极触点之间的非硅化物区。

主权项

1.一种半导体衬底上的静电放电(ESD)保护器件，所述器件具有有源区，所述有源区包括：栅极；源极，包括具有源极触点的硅化物部分；以及漏极，包括具有漏极触点的硅化物部分，其中源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸，其中漏极触点沿与器件轴正交的方向相对于源极触点横向偏移，由此源极触点和漏极触点之间的电流具有横向分量，以及其中所述器件还包括非硅化物区，所述非硅化物区在横向上位于相邻的漏极触点和源极触点之间。