[发明专利]一种超结功率器件和制造方法有效
| 申请号： | 201510202551.0 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN106158964B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超结功率器件及其制造方法，所述超结功率器件包括有源区、分压区域、截止环区域和划片道区域，所述分压区域设置于所述有源区的外围，所述截止环区域设置于所述有源区的外围，所述划片道区域设置于所述截止环区域的外围，所述分压区域包括多个P柱，并且所述分压区域内靠近所述有源区的一侧的P柱密度大于靠近所述截止环区域一侧的P柱密度。该超结功率器件终端在分压区域采用间距不同的P柱，使超结功率器件表面电场强度减小，提高击穿电压，并且消除氧化层表面积累的电场对分压区域的影响，减少分压区域面积，提高器件性能，降低器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结功率器件，包括有源区、分压区域、截止环区域和划片道区域，所述分压区域设置于所述有源区的外围，所述截止环区域设置于所述有源区的外围，所述划片道区域设置于所述截止环区域的外围，其特征在于，所述分压区域包括多个P柱，并且所述分压区域内靠近所述有源区的一侧的P柱的密度大于靠近所述截止环区域一侧的P柱的密度；其中，每一个所述P柱的离子浓度相同，且宽度也相同。
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