[发明专利]一种非对称超结MOSFET结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510202689.0 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104779296B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;钱振华;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非对称超结MOSFET结构及其制作方法，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括N型重掺杂衬底及形成于其上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层中形成有第一P柱及第二P柱，其中：第一P柱上部形成有P型体区，且P型体区朝第二P柱方向延伸，并与第二P柱之间具有预设距离；所述N型轻掺杂外延层表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于所述第一P柱及第二P柱之间，且所述栅极结构的第一端重叠于所述P型体区之上；所述P型体区与所述多晶硅栅极重叠的部分作为沟道区。本发明采用非对称超结MOSFET结构，每个晶体管单元中，沟道仅位于一侧，可以提高沟道长度，获得更好的器件特性，且工艺上与常规对称型超结MOS完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 mosfet 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非对称超结MOSFET结构，包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层中形成有第一P柱及第二P柱，其特征在于：所述第一P柱上部形成有P型体区，所述P型体区包含N型重掺杂源区及P型重掺杂接触区，所述第二P柱包含所述P型重掺杂接触区，且所述P型体区朝所述第二P柱方向延伸，并与所述第二P柱之间具有预设距离；所述N型轻掺杂外延层表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于所述第一P柱及第二P柱之间，且所述栅极结构与所述第二P柱不相连，所述栅极结构的第一端重叠于所述P型体区之上；所述P型体区与所述栅极结构重叠的部分作为沟道区；所述沟道区的长度为1～2微米。
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