[发明专利]电子元件封装体及其制作方法有效
| 申请号： | 201510202690.3 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN104803346B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/60;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，上述电子元件封装体，包括感测芯片，上述感测芯片的上表面包括感测薄膜；具有开口结构的盖板，覆盖上述感测芯片的上述上表面，上述盖板与上述感测芯片之间于对应上述感测薄膜位置上包括连通上述开口结构的间隙；间隔层，介于上述盖板与上述感测芯片之间且围绕着上述间隙，其中上述间隔层与上述感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电子元件封装体的制作方法，包括：提供晶片，其具有上表面和下表面，该上表面上设有导电电极，其中该晶片上设有多个压力感测晶片；在该晶片的该上表面覆盖盖板，其中感测薄膜覆盖所述压力感测晶片，且该感测薄膜与该上表面之间没有间隙；在该晶片的该下表面覆盖保护层，其中该感测薄膜与该盖板之间包括间隙，该间隙由间隔层所围绕，该间隔层与该感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区，且位于该应力缓冲区的该晶片具有一或多个凹洞；在该保护层上形成电性接触该导电电极的导电凸块；以及在该盖板上形成开口结构；其中形成该开口结构的步骤，是于该晶片的该上表面覆盖该盖板之前实施，或者在该晶片的该下表面覆盖该保护层之后且于形成该导电凸块之前实施。
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