[发明专利]一种臭氧钝化高k/Ge界面同时改善高k栅介质的方法在审
| 申请号： | 201510202692.2 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN106158615A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;杨旭;王盛凯;龚著靖;孙兵;常虎东;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，其中所述衬底为Ge衬底或者含有Ge薄膜表面的晶片；对所述衬底交替进行高k栅介质生长与臭氧处理，在所述衬底上形成高k/GeOx/Ge栅叠层结构；对所述高k栅介质进行低温氧气退火，以增强所述高k介质质量。利用臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的方法。不仅在Ge表面得到一层极薄的GeOx层，进而降低EOT，改善了高k/Ge界面质量，起到良好的高k/Ge界面钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 臭氧 钝化 ge 界面 同时 改善 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，其中所述衬底为Ge衬底或者含有Ge薄膜表面的晶片；对所述衬底交替进行高k栅介质生长与臭氧处理，在所述衬底上形成高k/GeOx/Ge栅叠层结构；对所述高k栅介质进行低温氧气退火，以增强所述高k介质质量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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