[发明专利]一种点阵扫描制备黑硅的方法和装置

摘要

本发明涉及一种点阵扫描制备黑硅的方法和装置，属于半导体光电材料制备领域。该方法包括1：将硅片置于含掺杂物质的样品室中；2：将脉冲激光器的单束激光依次通过光阑、反射镜、半波片、偏振片、快门、扩束镜、聚焦透镜和达曼光栅等元件得到点阵激光；3：将点阵激光辐照硅片表面，通过计算机控制快门的开闭和三维平移台的运动实现点阵扫描，得到表面为微尖锥结构的黑硅材料。本发明通过引入达曼光栅，将单束激光变成二维的等光强阵列光束。达曼光栅对激光进行分束时，避免了普通半透半反镜分光过程中色散的影响，同时保证了分束后的光束质量。本发明将制备黑硅的方式由逐点扫描改为点阵扫描，大幅提高了黑硅的制备效率。

主权项

一种点阵扫描制备黑硅的方法和装置，其特征在于该方法包括：步骤1：将硅片置于含掺杂物质的样品室中；步骤2：将脉冲激光器(1)的单束激光依次通过光阑(2)、反射镜(3)、半波片(4)、偏振片(5)、快门(6)、扩束镜(7)、聚焦透镜(8)和达曼光栅(9)等元件得到点阵激光；步骤3：将点阵激光辐照硅片表面，通过计算机(13)控制快门(6)的开闭和三维平移台(12)的运动实现点阵扫描，得到表面为微尖锥结构的黑硅材料。