[发明专利]一种超结功率器件及其制造方法在审
申请号: | 201510203203.5 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN106158965A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100871 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种超结功率器件及其制造方法,所述超结功率器件包括有源区、分压区域、截止环区域和划片道区域,所述分压区域设置于所述有源区的外围,所述截止环区域设置于所述有源区的外围,所述划片道区域设置于所述截止环区域的外围,所述分压区域内形成有多个间距相同的P柱,并且由所述有源区向所述截止环区域的方向上P柱的宽度逐渐减小。本发明提供的超结功率器件,能够减小氧化层表面积累的电场对分压区域的影响,同时提高超结功率器件的表面击穿强度,减少分压区域面积,提高器件性能,降低器件制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种超结功率器件,包括有源区、分压区域、截止环区域和划片道区域,所述分压区域设置于所述有源区的外围,所述截止环区域设置于所述有源区的外围,所述划片道区域设置于所述截止环区域的外围,其特征在于,所述分压区域内形成有多个间距相同的P柱,并且由有源区向所述截止环方向上P柱的宽度逐渐减小。
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