[发明专利]一种含氮多膦酸基聚硅氧烷/Nafion双层质子交换膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510203675.0 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104779407B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 高山俊;陆晴漪;沈春晖;李伟;尹珊珊;李慧琳 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01M8/02 | 分类号： | H01M8/02;H01M2/16;C08G77/30;C08J7/04;C08J7/00;H01M8/0239 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含氮多膦酸基聚硅氧烷/Nafion双层质子交换膜及其制备方法，其制备方法为1)Nafion膜的预处理；2)含氮多膦酸基聚硅氧烷的制备将含氮有机多膦酸溶解在去离子水中，室温下持续搅拌溶解得到膦酸溶液，然后将有机硅氧烷缓慢滴加到膦酸溶液中，室温下持续搅拌12～24h得到含氮多膦酸基聚硅氧烷溶液；3)双层质子交换膜的制备将含氮多膦酸基聚硅氧烷溶液涂覆在经预处理的Nafion膜上，然后在30～50℃恒温放置12h，随后分别在100℃、120℃与150℃下热处理2h，即得到。本发明制备的双层质子交换膜在高温条件下具有较高的质子电导率和低的甲醇渗透系数，还具有较好的柔韧性和力学强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含氮多膦酸基聚硅氧烷 nafion 双层 质子 交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含氮多膦酸基聚硅氧烷/Nafion双层质子交换膜，其特征在于：所述含氮多膦酸基聚硅氧烷/Nafion双层质子交换膜在140℃、相对湿度为20％条件下测试质子电导率为0.065～0.082S·cm‑1，甲醇渗透率为5.75～7.12×10‑7cm2·s‑1，离子交换容量为0.55～0.76mg·mol‑1，拉伸强度为25.2～38.2Mpa，吸水率为42.6～56.6％，并且耐高温温度为200～215℃。
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