[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。改善半导体激光器的特性。在具有n型包层、有源层以及p型包层的半导体激光器中，提供电流阻挡层。例如，电流阻挡层部分地布置在p型包层和有源层之间，以及在p型包层与有源层的重叠区中。因此，在p型包层与有源层的重叠区的电流狭窄区中，布置电流阻挡层，由此抑制注入有源层的一部分中的电流。这致使形成饱和吸收区，其致使半导体激光器的光输出的强度差异。这可实现自脉动。

主权项

一种半导体器件，包括：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层布置在所述第一氮化物半导体层上方；第三氮化物半导体层，所述第三氮化物半导体层布置在所述第二氮化物半导体层上方，并且在所述第二氮化物半导体层的形成区的一部分中；以及第四氮化物半导体层，所述第四氮化物半导体层布置在所述第三氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间，并且部分地在所述第三氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层的重叠区中，其中，所述第一氮化物半导体层的带隙大于所述第二氮化物半导体层的带隙，并且所述第一氮化物半导体层为第一导电类型，其中，所述第三氮化物半导体层的带隙大于所述第二氮化物半导体层的带隙，并且所述第三氮化物半导体层为第二导电类型，所述第二导电类型为与所述第一导电类型相反的导电类型，并且其中，所述第四氮化物半导体层的带隙大于所述第三氮化物半导体层的带隙。