[发明专利]一种低磁导率温度系数近场通讯磁片及其制备方法

摘要

一种低磁导率温度系数近场通讯磁片及其制备方法，涉及近场通讯。低磁导率温度系数近场通讯磁片包括主成分和副成分；按摩尔百分比，主成分的Fe₂O₃为48％～55％，ZnO为12％～20％，NiO为15.5％～20％，CuO为13％～16％，MnCO₃为0～3％，Bi₂O₃为0.01％～0.025％，Co₂O₃为0～0.05％；副成分的SiO₂为1％，WO₃为0～3％。将主成分、水和磨球混合，球磨得浆料，分离后烘干，再预烧；粉碎过筛，加入副成分，再加入水球磨，过筛后烘干，然后与水基流延浆料混合，得流延浆料，球磨，过筛，脱泡，得脱泡流延浆料；流延后得铁氧体坯片，干燥，热处理；烧结，再与胶带贴合，得产物。

主权项

一种低磁导率温度系数近场通讯磁片，其特征在于包括主成分和副成分；按摩尔百分比，所述主成分的Fe₂O₃为48％～55％，ZnO为12％～20％，NiO为15.5％～20％，CuO为13％～16％，MnCO₃为0～3％，Bi₂O₃为0.01％～0.025％，Co₂O₃为0～0.05％；副成分的SiO₂为1％，WO₃为0～3％。