[发明专利]气隙结构和方法有效
| 申请号： | 201510205243.3 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158827B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 丁致远;谢志宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种器件包括位于第一介电层中的第一沟槽的侧壁和底部上方的第一保护层、位于第一保护层上方的第一阻挡层、位于第一沟槽中的第一金属线、位于第一介电层中的第二沟槽的侧壁和底部上方的第二保护层、位于第二保护层上方的第二阻挡层、位于第二沟槽中的第二金属线、位于第一沟槽和第二沟槽之间的气隙以及位于第一介电层中的第三沟槽的侧壁上方的第三保护层，其中，第一保护层、第二保护层和第三保护层由相同的材料形成。本发明实施例涉及气隙结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：气隙，位于第一介电层中的第一金属线和第二金属线之间并且所述气隙的底面低于所述第一金属线和第二金属线的底部，其中：所述第一金属线和所述第一介电层由第一保护层和第一阻挡层分隔开，所述第一阻挡层共形地形成在所述第一保护层上方；和所述第二金属线和所述第一介电层由第二保护层和第二阻挡层分隔开，所述第二阻挡层共形地形成在所述第二保护层上方；以及第一金属结构，位于所述第一介电层中，其中，所述第一金属结构的上部和所述第一介电层由第三保护层分隔开，并且其中，所述第一保护层、所述第二保护层和所述第三保护层均由相同的材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510205243.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
