[发明专利]用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510205799.2 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104795494B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;潘佳浩;吴小丽;朱小芹;吴世臣;邹华;袁丽;吴卫华;张建豪;眭永兴 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司32214 | 代理人： | 孙培英 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高速 相变 存储器 gete sb 晶格 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方；其中的GeTe层是以GeTe合金为靶材通过磁控溅射法得到；所述Ge Te/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[GeTe (a)/Sb(b)]x表示，其中a为单层GeTe层的厚度， a=5nm；b为单层Sb层的厚度，b= 3nm 、4nm 、5nm 、6nm 或7nm；x为GeTe层和Sb层的交替周期数，x=4、5或6；其中b=3nm或4nm时，x=6；b=5nm或6nm时，x=5； b=7nm时， x=4。
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