[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，包括基板(1)，及形成于基板(1)上的薄膜晶体管和存储电容；所述存储电容包括位于基板(1)上的第一极板(31)，位于第一极板(31)之上的栅极绝缘层(3)或者蚀刻阻挡层(5)，位于栅极绝缘层(3)或者蚀刻阻挡层(5)之上的第二极板(32)；存储电容的两电极板之间只存在栅极绝缘层或者蚀刻阻挡层一层绝缘层，存储电容间绝缘层厚度较薄，电容相对面积较小，开口率较高。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括基板(1)，及形成于基板(1)上的薄膜晶体管和存储电容；所述存储电容包括位于基板(1)上的第一极板(31)，位于第一极板(31)之上的栅极绝缘层(3)，位于栅极绝缘层(3)之上的第二极板(32)；包括基板(1)、设于所述基板(1)上的第一栅极(21)、第二栅极(22)、及位于所述第二栅极(22)远离第一栅极(21)一侧的第一极板(31)、设于所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、第一极板(31)、及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、分别位于所述第一栅极(21)与第二栅极(22)上方设于所述栅极绝缘层(3)上的第一氧化物半导体层(41)与第二氧化物半导体层(42)、位于所述第一极板(31)上方设于所述栅极绝缘层(3)上的第二极板(32)、设于所述第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、及栅极绝缘层(3)上的蚀刻阻挡层(5)、分别位于所述第一栅极(21)与第二栅极(22)上方设于所述蚀刻阻挡层(5)上的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、及第二漏极(64)、设于所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及第二极板(32)上方覆盖所述蚀刻阻挡层(5)的钝化层(71)、设于所述钝化层(71)上的平坦层(72)、设于所述平坦层(72)上的像素电极层(81)、设于所述平坦层(72)与像素电极层(81)上的像素定义层(9)、及设于所述像素定义层(9)上的光阻间隙物(91)；所述栅极绝缘层(3)上对应所述第二栅极(22)靠近第一栅极(21)一侧的上方设有第一过孔(51)，所述钝化层(71)与平坦层(72)对应所述第二源极(63)上方设有第二过孔(52)，所述像素定义层(9)上对应所述像素电极层(81)上方设有第三过孔(53)；所述蚀刻阻挡层(5)与所述栅极绝缘层(3)相接触；所述第一源极(61)、第一漏极(62)与所述第一氧化物半导体层(41)相接触，所述第二源极(63)、及第二漏极(64)与所述第二氧化物半导体层(42)相接触，所述第一源极(61)经由所述第一过孔(51)与所述第二栅极(22)相接触，所述像素电极层(81)经由所述第二过孔(52)与所述第二源极(63)相接触，所述第三过孔(53)暴露出部分像素电极层(81)；所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、栅极绝缘层(3)、第一氧化物半导体层(41)、第二氧化物半导体层(42)、蚀刻阻挡层(5)、第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、及第二漏极(64)构成薄膜晶体管；所述第一极板(31)、第二极板(32)、及位于所述第一极板(31)与第二极板(32)之间的栅极绝缘层(3)构成存储电容；所述栅极绝缘层(3)与蚀刻阻挡层(5)的材料不同。