[发明专利]一种高精度带隙基准源无效

专利信息
申请号: 201510206445.X 申请日: 2015-04-27
公开(公告)号: CN104793690A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 李迪;朱樟明;杨银堂 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 杨文录
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种高精度带隙基准源,包括主体电路模块、输出电流模块以及启动电路模块。主体电路模块采用输出参考电压可调的带隙基准源结构,可以输出灵活的参考电压,另外采用折叠共源共栅结构的运算放大器提高反馈精度,利用不同电阻的温度特性不同,采用电阻拆分的方式来实现基准电压源温度特性的二阶补偿,降低电路复杂度和节省面积。另外输出电流模块采用共源共栅电流镜提高输出参考电流的精度,实现同时输出高精度的参考电压和参考电流。
搜索关键词: 一种 高精度 基准
【主权项】:
一种高精度带隙基准源,其特征在于:包括主体电路模块、输出电流模块以及启动电路模块;主体电路模块包括晶体管M1、M2、M3、M4、M9和运算放大器OPAmp,电源电压分五路分别与晶体管M1、M2、M3、M4、M9的源极连接;晶体管M1、M2、M3、M4的栅极短接在一起连接到运算放大器OPAmp的输出端并将连接点作为偏置电压输出端VB1,晶体管M1漏极与晶体管M5的源极连接;晶体管M2的漏极与晶体管M6的源极连接在一起;晶体管M3的漏极连接到晶体管M7的源极;晶体管M4的漏极连接到晶体管M8的源极;晶体管M5的栅极分别连接晶体管M6、M7、M8、M9的栅极以及晶体管M9、M11的漏极并将连接交点做为偏置电压输出端VB2,晶体管M5漏极分别连接电阻R1的PLUS端、NPN型双极晶体管Q1的基极、集电极以及运算放大器OPAmp的负输入端;晶体管M6的漏极分别连接电阻R2、R3的PLUS端以及运算放大器OPAmp的正输入端;晶体管M7的漏极与电阻R4的PLUS端相连接并将连接点作为带隙基准源的基准电压输出端Vref;晶体管M8的漏极分别与晶体管M10、M11的栅极以及晶体管M10的漏极相连接;电阻R1的MINUS端接地;电阻R2的MINUS端连接NPN型双极晶体管Q2的基极和集电极;电阻R3的MINUS端接地;电阻R4的MINUS端连接到电阻R5的PLUS端;电阻R5的MINUS端接地,NPN型双极晶体管Q1、Q2的射极均接地;输出电流模块包括晶体管M12、M13,晶体管M12的源极与电源电压相连接,晶体管M12的栅极连接到偏置电压输出端VB1,晶体管M12的漏极与晶体管M13的源极连接;晶体管M13的栅极连接偏置电压输出端VB2,晶体管M13的源极作为基准电流输出端Iref。
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