[发明专利]薄膜太阳能电池光吸收层及其制备方法

摘要

本发明涉及一光吸收层，包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，为Cuy(In1‑xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.0<Se(Cu+In+Ga)≤1.5。本发明还涉及一光吸收层的制备方法，包括使用溅射靶，通过溅射法在基底上溅射形成含有Se、Cu、In及Ga的无定形材料薄膜，该溅射靶的制备方法包括将Cuy(In1‑xGax)Se2粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400°C~900°C进行烧结；以及对该无定形材料薄膜进行退火处理，该退火处理的气氛为真空、稀有气体及氮气中的至少一种，退火温度为300°C~600°C，升温速率为1°C/min~100°C/min，退火时间为0.1小时~3小时，得到薄膜太阳能电池光吸收层。

主权项

一光吸收层，包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，其特征在于，为Cuy(In1‑xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比Se:(Cu+In+Ga)等于1.5。