[发明专利]一种高离子迁移率晶体管的T型栅的制作方法

摘要

本发明公开了一种高离子迁移率晶体管的T型栅的制作方法，是在砷化镓(GaAs)基衬底上依次形成抗反射层及第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.16‑0.19μm的显开区域，再通过化学收缩工艺缩小至0.11‑0.13μm；再涂覆第二光阻，经曝光显影后与第一光阻的显开区域共同形成T型栅极的蚀刻窗口，通过沉积金属形成线宽为0.11‑0.13μm的T型栅。本发明的制备方法设备投入低，产能高，有效降低了生产成本，适于实际生产应用。

主权项

一种高离子迁移率晶体管的T型栅的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供一砷化镓基衬底，于衬底上形成一抗反射层；2)于抗反射层上涂覆第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.16‑0.19μm的下蚀刻窗口；步骤2)是通过KrF设备进行曝光，所述第一光阻是与248nm光相匹配之KrF正光阻；3)通过化学收缩工艺将下蚀刻窗口的宽度缩小至0.11‑0.13μm；所述化学收缩工艺具体包括以下子步骤：涂覆化学收缩试剂于所述下蚀刻窗口内，于100～140℃下烘烤以使化学收缩试剂与所述第一光阻交联固化并于所述下蚀刻窗口的侧壁上形成附着层，去除未交联的化学收缩试剂；4)于步骤3)形成的结构上方涂覆第二光阻，第二光阻经曝光显影形成对应于下蚀刻窗口上方的上蚀刻窗口，上蚀刻窗口的宽度大于下蚀刻窗口，上蚀刻窗口和下蚀刻窗口形成T型栅极的蚀刻窗口；步骤4)是通过I‑line设备进行曝光，所述第二光阻是与365nm光相匹配之I‑line负光阻；5)除去蚀刻窗口下方的抗反射层以露出衬底，并蚀刻所述露出的衬底以形成沟槽；6)于蚀刻窗口内以沟槽为底层表面沉积金属，形成T型栅极；7)除去抗反射层、第一光阻及第二光阻。