[发明专利]对存储器装置编程的方法以及相关的存储器装置有效
| 申请号： | 201510207775.0 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106158030B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 柯文昇;苏资翔;吴昭谊;李祥邦;张育铭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对存储器装置进行编程的方法，包括以下步骤：执行一插入编程，包括：在一第一时段对一第一存储单元编程，并对应地在一第二时段对该第一存储单元进行验证；在一第三时段对一第二存储单元编程，并对应地在一第四时段对该第二存储单元进行验证，该第四时段介于该第一时段与该第二时段之间；以及在该第一时段与该第二时段之间插入至少一延迟周期，以确保该第一存储单元的单位时间电阻值变化小于一阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 编程 方法 以及 相关 | ||
【主权项】：
1.一种对存储器装置编程的方法，该存储器装置包括多个存储单元，该方法包括：执行一插入编程，包括：在一第一时段对所述存储单元中的一第一存储单元编程，并对应地在一第二时段对该第一存储单元进行验证；在一第三时段对所述存储单元中的一第二存储单元编程，并对应地在一第四时段对该第二存储单元进行验证，该第四时段介于该第一时段与该第二时段之间；以及在该第一时段与该第二时段之间插入至少一延迟周期，以确保该第一存储单元的单位时间电阻值变化小于一阈值。
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