[发明专利]三维半导体集成电路器件及其制造方法有效

申请号：	201510208365.8	申请日：	2015-04-28
公开（公告）号：	CN106158616B	公开（公告）日：	2020-01-03
发明（设计）人：	金镇河;崔康植;蔡洙振;李泳昊;金俊官	申请（专利权）人：	爱思开海力士有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L29/45
代理公司：	11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	俞波;毋二省
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：	提供一种三维半导体集成电路器件及其制造方法。有源柱被形成在半导体衬底上，并且层间绝缘层被形成，使得有源柱被掩埋在层间绝缘层中。层间绝缘层被刻蚀以形成孔，使得有源柱和有源柱的外围区域被暴露。对透过孔而被暴露的有源柱的外围区域执行刻蚀工艺特定深度，而具有该深度的空间被提供在有源柱与层间绝缘层之间。硅材料层被形成为被掩埋在具有该深度的空间中，并且欧姆接触层被形成在硅材料层和有源柱上。
搜索关键词：	三维半导体集成电路器件及其制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括：/n在半导体衬底中形成有源柱；/n形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层环绕所述有源柱的下侧壁；/n在所述栅极绝缘层之上形成栅电极；/n将杂质注入至所述有源柱之间的所述半导体衬底之中；/n将所述杂质注入至所述有源柱的上部；/n在所述半导体衬底之上形成层间绝缘层；/n通过刻蚀所述层间绝缘层形成孔，使得所述有源柱的上表面透过所述孔被暴露；/n形成空间，所述空间自所述孔向下延伸至所述有源柱的上侧壁与所述层间绝缘层之间；/n在所述空间中形成硅材料层；/n将所述杂质注入至所述硅材料层；以及/n在所述硅材料层并在所述有源柱中形成欧姆接触层。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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