[发明专利]高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201510208473.5 | 申请日: | 2015-04-28 |
公开(公告)号: | CN104777693B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 钟新辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/139 | 分类号: | G02F1/139;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法。该液晶显示面板在上基板(1)上设置第一公共电极(31)、绝缘层(32)、与第二公共电极(33),在下基板(2)上设置像素电极(4),在第二公共电极(33)与像素电极(4)表面设置多个聚合物突起(5)对液晶分子(7)配向,且所述第一、第二公共电极(31、33)的其中之一为图案化公共电极,另一个为平面型公共电极,像素电极(4)为平面型电极。在制程过程中,通过对像素电极(4)与图案化公共电极施加电压,能够使液晶分子(7)向不同方向倒伏,在每一个子像素内形成多畴;在使用过程中,通过对像素电极(4)与平面型公共电极施加电压,能够使整个像素区域同时达到最大的穿透率。 | ||
搜索关键词: | 穿透 psva 液晶显示 面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种高穿透率PSVA型液晶显示面板,包括上基板(1)、与所述上基板(1)相对设置的下基板(2)、自上而下依次层叠设置于所述上基板(1)面向所述下基板(2)一侧的第一公共电极(31)、绝缘层(32)、与第二公共电极(33)、设于所述下基板(2)面向所述上基板(1)一侧的像素电极(4)、夹设于所述第二公共电极(33)与像素电极(4)之间的液晶层、及设于所述第二公共电极(33)与像素电极(4)表面的多个聚合物突起(5);所述聚合物突起(5)对所述液晶层内的液晶分子(7)配向,使得液晶分子(7)具有一定的预倾角,其特征在于,所述第一公共电极(31)与第二公共电极(33)的其中之一为图案化公共电极,对应于每一个子像素,该图案化公共电极被划分为多个区域,各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案;另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极;所述像素电极(4)为厚度均匀、连续不间断的平面型电极;在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中,对所述像素电极(4)与图案化公共电极施加电压;在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中,对所述像素电极(4)与平面型公共电极施加电压。
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