[发明专利]高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510208473.5 申请日: 2015-04-28
公开(公告)号: CN104777693B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 钟新辉 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/139 分类号: G02F1/139;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种高穿透率PSVA型液晶显示面板及其制作方法。该液晶显示面板在上基板(1)上设置第一公共电极(31)、绝缘层(32)、与第二公共电极(33),在下基板(2)上设置像素电极(4),在第二公共电极(33)与像素电极(4)表面设置多个聚合物突起(5)对液晶分子(7)配向,且所述第一、第二公共电极(31、33)的其中之一为图案化公共电极,另一个为平面型公共电极,像素电极(4)为平面型电极。在制程过程中,通过对像素电极(4)与图案化公共电极施加电压,能够使液晶分子(7)向不同方向倒伏,在每一个子像素内形成多畴;在使用过程中,通过对像素电极(4)与平面型公共电极施加电压,能够使整个像素区域同时达到最大的穿透率。
搜索关键词: 穿透 psva 液晶显示 面板 及其 制作方法
【主权项】:
一种高穿透率PSVA型液晶显示面板,包括上基板(1)、与所述上基板(1)相对设置的下基板(2)、自上而下依次层叠设置于所述上基板(1)面向所述下基板(2)一侧的第一公共电极(31)、绝缘层(32)、与第二公共电极(33)、设于所述下基板(2)面向所述上基板(1)一侧的像素电极(4)、夹设于所述第二公共电极(33)与像素电极(4)之间的液晶层、及设于所述第二公共电极(33)与像素电极(4)表面的多个聚合物突起(5);所述聚合物突起(5)对所述液晶层内的液晶分子(7)配向,使得液晶分子(7)具有一定的预倾角,其特征在于,所述第一公共电极(31)与第二公共电极(33)的其中之一为图案化公共电极,对应于每一个子像素,该图案化公共电极被划分为多个区域,各个区域具有向不同方向延伸的公共电极分支与狭缝间隔的图案;另一个为厚度均匀、连续不间断的平面型公共电极;所述像素电极(4)为厚度均匀、连续不间断的平面型电极;在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的制程过程中,对所述像素电极(4)与图案化公共电极施加电压;在所述高穿透率PSVA型液晶显示面板的使用过程中,对所述像素电极(4)与平面型公共电极施加电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510208473.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top