[发明专利]一种具有较低衰减系数的单模光纤

摘要

本发明涉及一种具有较低衰减系数的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.9~4.6μm，芯层相对折射率Δ1为0.08%~0.24%，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为8~15μm，相对折射率Δ2为‑0.30%~‑0.05%，所述的下陷内包层半径r3为14~20μm，相对折射率Δ3为‑0.6%~‑0.2%，所述的辅助外包层半径r4为35~50μm，相对折射率Δ4范围为‑0.35%~‑0.05%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明降低了光纤的衰减系数，并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计，使光纤具有等于或大于8.7μm的MFD；本发明光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构，具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露，对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。

主权项

一种具有较低衰减系数的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.9～4.6μm，芯层相对折射率Δ1为0.11％～0.24％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为8～15μm，相对折射率Δ2为‑0.30％～‑0.05％，所述的下陷内包层半径r3为14～20μm，相对折射率Δ3为‑0.6％～‑0.2％，所述的辅助外包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δ4范围为‑0.35％～‑0.05％；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。