[发明专利]一种高深宽比微细电火花阵列电极的制备方法有效
| 申请号： | 201510209963.7 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104909335A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;陈献 | 申请（专利权）人： | 苏州含光微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高深宽比微细电火花阵列电极的制备方法，其步骤包括：在钨基片的背面制作保护层、粘附层和电铸的种子层；在钨基片正面制作硬掩膜；在硬掩膜上涂覆光刻胶并曝光显影，然后刻蚀硬掩膜实现掩膜图形化的转移，并在表面涂覆光刻胶保护层；在钨基片背面利用种子层进行电铸，形成微细电极支撑结构，优选采用UV-LIGA工艺制备该支撑结构；去除钨基片正面的光刻胶保护层，采用等离子深刻蚀方法制备钨微细电极；去除钨基片正面的硬掩膜和钨基片背面多余的保护层、粘附层和种子层，得到由钨微细电极和微细电极支撑结构组成的高深宽比微细电极。本发明能够增加微细电极的实际深度，进而充分利用钨电极，提高微细电火花加工的深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 微细 电火花 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高深宽比微细电火花阵列电极的制备方法，其步骤包括：1)在钨基片的背面依次制作保护层、粘附层和电铸的种子层；2)在钨基片正面制作钨刻蚀的硬掩膜；3)在硬掩膜上涂覆光刻胶并曝光显影，完成光刻胶的图形化；4)刻蚀硬掩膜以实现掩膜图形化的转移，并在表面涂覆光刻胶作为保护层；5)在钨基片背面利用所述种子层进行电铸，形成微细电极支撑结构；6)去除钨基片正面的光刻胶保护层，采用等离子深刻蚀方法制备钨微细电极；7)去除钨基片正面的硬掩膜和钨基片背面多余的保护层、粘附层和种子层，得到由钨微细电极和微细电极支撑结构组成的高深宽比微细电极。
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