[发明专利]电阻可变存储装置、读取电路单元及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201510210405.2 申请日: 2015-04-29
公开(公告)号: CN106205680B 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 尹淳赫 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种电阻可变存储装置可包括:存储器单元阵列;以及读取电路单元,其被配置成在用于所述存储器单元阵列的正常读取模式期间接收单元电流、通过将循环模数转换(ADC)过程重复指定次数来生成数字代码、从所述数字代码生成读取数据、并且输出生成的读取数据,以及被配置成在用于所述存储器单元阵列的测试读取模式期间生成对应于所述单元电流的测试数据,并且输出生成的测试数据。
搜索关键词: 电阻 可变 存储 装置 读取 电路 单元 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种电阻可变存储装置,包括:存储器单元阵列;以及读取电路单元,其被配置成:在用于所述存储器单元阵列的正常读取模式期间接收单元电流、通过将循环模数转换ADC过程重复指定次数来生成数字代码、从所述数字代码生成读取数据、并且输出生成的所述读取数据,以及被配置成:在用于所述存储器单元阵列的测试读取模式期间生成对应于所述单元电流的测试数据并且输出生成的所述测试数据,其中,所述读取电路单元包括数据输出单元,所述数据输出单元包括:第一确定区,其被配置成基于所述单元电流与阈值电流之间的比较结果来生成第一比较代码,并且将所述第一比较代码作为预MSB最高有效位代码输出;第二确定区,其被配置成在所述测试读取模式期间通过将所述单元电流与预置的测试参考电压进行比较来生成第二比较代码,并且将所述第二比较代码作为测试模式预子代码输出;以及组合区,其被配置成在所述测试读取模式期间接收所述预MSB最高有效位代码和所述测试模式预子代码并且生成所述测试数据,其中,所述循环模数转换ADC过程包括读取存储器单元的电阻值作为读取代码,所述读取代码配置为被编码和转换成数据。
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