[发明专利]一种与非门阵列的操作方法有效
申请号: | 201510211718.X | 申请日: | 2015-04-29 |
公开(公告)号: | CN106205705B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 张国彬 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种与非门阵列的操作方法。与非门阵列包括由数个存储单元所组成的数个区块。存储单元的一个区块包括数个串行。一通道侧电压可以施加至数个通道线。一控制电压可以施加至此些第一串行选择开关的一已选择子集合此些第二串行选择开关的末端可以浮接此些通道线。耦接于此些第一串行选择开关的一未选择子集合的部分此些存储单元的隧穿作用可以被抑制。字线侧擦除电压可以施加至已选择区块的字线,以于耦接于此些字线以及此些第一串行选择开关的已选择子集合的部分此些存储单元诱发隧穿作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 与非门 阵列 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种与非门阵列的操作方法,该与非门阵列包括由多个存储单元所组成的多个区块,其中这些区块的其中之一包括多个与非门串行,这些与非门串行具有介于多个第一串行选择开关及多个第二串行选择开关的多个通道线,且这些与非门串行共享介于这些第一串行选择开关及这些第二串行选择开关之间的多个字线,该方法包括:于一已选择区块,透过这些第一串行选择开关,施加一通道侧电压至这些通道线;施加一控制电压至这些第一串行选择开关的一已选择子集合,该控制电压低于该通道侧电压;于这些第二串行选择开关的末端,浮接这些通道线;以及抑制耦接于这些第一串行选择开关的一未选择子集合的部分这些存储单元的隧穿作用。
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