[发明专利]多阶鳍的形成方法及其结构有效
| 申请号： | 201510212052.X | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206298B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造具有多阶鳍轮廓的半导体器件的方法，方法包括提供衬底以及在衬底上方形成具有第一间隔件宽度的第一间隔件。在第一蚀刻工艺期间第一间隔件掩蔽衬底的第一部分。通过实例的方式，对衬底实施第一蚀刻工艺以形成第一阶鳍区域，其中，第一阶鳍区域的宽度基本上约等于第一间隔件宽度。在衬底上方形成具有第二间隔件宽度的第二间隔件，其中在第二蚀刻工艺期间第二间隔件和第一阶鳍区域掩蔽衬底的第二部分。在一些实例中，对衬底实施第二蚀刻工艺以形成第二阶鳍区域，其中，第二阶鳍区域的宽度大于第一阶鳍区域的宽度。本发明还涉及多阶鳍的形成方法及其结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多阶鳍 形成 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成具有第一间隔件宽度的第一间隔件，其中，在第一蚀刻工艺期间所述第一间隔件掩蔽所述衬底的第一部分以限定第一阶鳍区域；对所述衬底实施所述第一蚀刻工艺以形成所述第一阶鳍区域，其中，所述第一阶鳍区域的宽度基本上约等于所述第一间隔件宽度；在所述衬底上方形成具有第二间隔件宽度的第二间隔件，其中，在第二蚀刻工艺期间所述第二间隔件和所述第一阶鳍区域掩蔽所述衬底的第二部分以限定第二阶鳍区域；以及对所述衬底实施所述第二蚀刻工艺以形成所述第二阶鳍区域，其中，所述第二阶鳍区域的宽度大于所述第一阶鳍区域的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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