[发明专利]用于HEMT器件的侧壁钝化在审
| 申请号： | 201510212686.5 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105047707A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 邱汉钦;陈祈铭;蔡正原;姚福伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的一些实施例涉及包括布置在半导体衬底上方的异质结结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)。异质结结构包括用作e-HEMT的沟道区的由第一III-氮化物材料制成的二元III/V半导体层以及用作阻挡层的布置在二元III/V半导体层上方并且由第二III-氮化物材料制成的三元III/V半导体层。源极区和漏极区布置在三元III/V半导体层上方并且彼此横向间隔开。栅极结构布置在异质结结构上方并且布置在源极区和漏极区之间。栅极结构由第三III-氮化物材料制成。第一钝化层设置在栅极结构的侧壁周围并且由第四III-氮化物材料制成。本发明的实施例还涉及用于HEMT器件的侧壁钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 hemt 器件 侧壁 钝化 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：异质结结构，布置在半导体衬底上方，所述异质结结构包括：用作所述HEMT的沟道区的由第一III‑氮化物材料制成的二元III/V半导体层以及用作阻挡层的布置在所述二元III/V半导体层上方并且由第二III‑氮化物材料制成的三元III/V半导体层；源极区和漏极区，布置在所述三元III/V半导体层上方并且彼此横向间隔开；栅极结构，布置在所述异质结结构上方并且布置在所述源极区和所述漏极区之间，其中，所述栅极结构由第三III‑氮化物材料制成；以及第一钝化层，设置在所述栅极结构的侧壁周围并且由第四III‑氮化物材料制成。
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