[发明专利]基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法有效
| 申请号： | 201510212841.3 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104911702B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;李硕业;刘璋成;王玮;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所61219 | 代理人： | 张瑞琪 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 组装 工艺 质量 金刚石 生长 方法 | ||
【主权项】：
基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，其特征在于，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；其中，所述步骤三通过反应离子刻蚀技术对纳米二氧化硅颗粒层进行轻微刻蚀，形成部分区域裸露单晶金刚石衬底表面的二氧化硅颗粒层；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜。
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