[发明专利]一种GOA单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件有效

专利信息
申请号: 201510213267.3 申请日: 2015-04-29
公开(公告)号: CN104934441B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 张小祥;郭总杰;刘正;张治超;刘明悬;陈曦 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/64;H01L21/77;G02F1/1368
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种GOA单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件,涉及显示技术领域,能够避免由于GOA单元中电容的存在而导致在显影工艺中过多的显影液流向TFT单元区域,造成TFT沟道过宽的问题。所述GOA单元包括在基板上形成的TFT模块和电容结构,TFT模块包括栅极、源极和漏极,电容结构包括用于形成第一电容的第一电极和第二电极;TFT模块的栅极与电容结构的第一电极同层设置,TFT模块的源极、漏极与电容结构的第二电极同层设置,且第二电极具有沟槽。本发明实施例用于显示器件。
搜索关键词: 一种 goa 单元 及其 制作方法 栅极 驱动 电路 显示 器件
【主权项】:
一种GOA单元,包括:在基板上形成的TFT模块和电容结构,所述TFT模块包括:栅极、源极和漏极,所述电容结构包括:用于形成第一电容的第一电极和第二电极;其特征在于,所述TFT模块的栅极与所述电容结构的第一电极同层设置,所述TFT模块的源极、漏极与所述电容结构的第二电极同层设置;其中,所述第二电极具有沟槽,所述第二电极与所述第一电极对应、且设置于沟槽以外的区域。
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