[发明专利]一种GOA单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件有效
申请号: | 201510213267.3 | 申请日: | 2015-04-29 |
公开(公告)号: | CN104934441B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 张小祥;郭总杰;刘正;张治超;刘明悬;陈曦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种GOA单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件,涉及显示技术领域,能够避免由于GOA单元中电容的存在而导致在显影工艺中过多的显影液流向TFT单元区域,造成TFT沟道过宽的问题。所述GOA单元包括在基板上形成的TFT模块和电容结构,TFT模块包括栅极、源极和漏极,电容结构包括用于形成第一电容的第一电极和第二电极;TFT模块的栅极与电容结构的第一电极同层设置,TFT模块的源极、漏极与电容结构的第二电极同层设置,且第二电极具有沟槽。本发明实施例用于显示器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 goa 单元 及其 制作方法 栅极 驱动 电路 显示 器件 | ||
【主权项】:
一种GOA单元,包括:在基板上形成的TFT模块和电容结构,所述TFT模块包括:栅极、源极和漏极,所述电容结构包括:用于形成第一电容的第一电极和第二电极;其特征在于,所述TFT模块的栅极与所述电容结构的第一电极同层设置,所述TFT模块的源极、漏极与所述电容结构的第二电极同层设置;其中,所述第二电极具有沟槽,所述第二电极与所述第一电极对应、且设置于沟槽以外的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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