[发明专利]EUV多层膜碳污染实验装置

摘要

本发明涉及一种EUV多层膜碳污染实验装置，属于半导体技术领域。解决了现有技术中EUV多层膜碳污染实验装置只能检测单一实验结果，且实验的可靠性和对比性低的技术问题。本发明的EUV多层膜碳污染实验装置包括聚焦腔、第一闸板阀、过渡真空腔、角阀、曝光真空腔、滤光片、质谱仪、污染气体流量控制装置、第一真空泵、三维调节机构、样品支架固定机构、EUV光电二极管、第二闸板阀、准备真空腔、样品进给机构、样品支架、样品输送机构和第二真空泵。该装置能够完成样品的聚焦曝光和离焦曝光，以及样品不同位置的差别性曝光，装置内的真空度始终不会被破坏，实验可靠性高。

主权项

EUV多层膜碳污染实验装置，包括聚焦腔(1)、第一闸板阀(2)、过渡真空腔(3)、角阀(4)、曝光真空腔(5)、滤光片(6)、质谱仪(7)、污染气体流量控制装置(8)和第一真空泵(9)；其特征在于，还包括，三维调节机构(10)、样品支架固定机构(11)、EUV光电二极管(12)、准备真空腔(13)、第二闸板阀(14)、样品进给机构(15)、样品支架(16)、样品输送机构(17)和第二真空泵(18)；所述三维调节机构(10)由X向真空线性调节机构(10‑1)、Y向真空线性调节机构(10‑2)和Z向真空线性调节机构(10‑3)组成，所述X向、Y向和Z向两两垂直，且X向平行于EUV光束方向，三维调节机构(10)设置在曝光真空腔(5)内；所述X向真空线性调节机构(10‑1)为第三真空馈入器，第三真空馈入器固定在曝光真空腔(5)的外壁上，第三真空馈入器的推杆伸入曝光真空腔(5)内，且推杆的运动方向在EUV光束的平行方向，所述Y向真空线性调节机构(10‑2)和Z向真空线性调节机构(10‑3)的结构相同，均由第四真空馈入器(10‑2‑1)、真空导轨(10‑2‑2)、弹簧(10‑2‑3)、滑台(10‑2‑4)和支座(10‑2‑5)组成，支座(10‑2‑5)上设有矩形槽(10‑2‑5‑1)，真空导轨(10‑2‑2)固定在支座(10‑2‑5)上且位于矩形槽(10‑2‑5‑1)的两侧，滑台(10‑2‑4)设置在真空导轨(10‑2‑2)上，弹簧(10‑2‑3)的一端固定在滑台(10‑2‑4)上，另一端固定在支座(10‑2‑5)上，第四真空馈入器(10‑2‑1)固定在支座(10‑2‑5)上，且在弹簧(10‑2‑3)的作用下，第四真空馈入器(10‑2‑1)的顶端始终与滑台(10‑2‑4)接触；Z向真空线性调节机构(10‑3)的支座(10‑2‑5)固定在第三真空馈入器的推杆上，Y向真空线性调节机构(10‑2)的支座(10‑2‑5)固定在Z向真空线性调节机构(10‑3)的滑台(10‑2‑4)上；所述样品支架固定机构(11)和EUV光电二极管(12)固定在三维调节机构(10)上，样品支架固定机构(11)和EUV光电二极管(12)随三维调节机构(10)沿X向、Y向和Z向移动；所述准备真空腔(13)通过第二闸板阀(14)与曝光真空腔(5)连接；所述样品进给机构(15)由第一真空馈入器(15‑1)和支撑体(15‑2)组成，所述第一真空馈入器(15‑1)固定在准备真空腔(13)的外壁上，第一真空馈入器(15‑1)的推杆伸入准备真空腔(13)内，所述支撑体(15‑2)固定在第一真空馈入器(15‑1)的推杆上，支撑体(15‑2)上设有多个凹槽，每个凹槽内放置一个样品支架(16)；所述样品输送机构(17)由第二真空馈入器和夹钳组成，所述第二真空馈入器固定在准备真空腔(13)的外壁上，第二真空馈入器的推杆伸入准备真空腔(13)内，所述夹钳固定在第二真空馈入器的推杆的顶端，夹钳夹取支撑体(15‑2)凹槽内的样品支架(16)，穿过第二闸板阀(14)将样品支架(16)输送至三维调节机构(10)上通过样品支架固定机构(11)固定，并夹取检测后的固定在样品支架固定机构(11)上的样品支架(16)，输送回支撑体(15‑2)的凹槽内；所述第二真空泵(18)与准备真空腔(13)连通；所述聚焦腔(1)内的EUV光束经过渡真空腔(3)传输至曝光真空腔(5)内，照射样品，并经样品入射EUV光电二极管(12)。