[发明专利]存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有一个或多个区块的多个存储单元的三维阵列。区块包括多个层，这些层包括多个半导体条，这些半导体条自一半导体接触垫延伸。设置这些层以使得半导体条形成多个半导体条叠层以及多个半导体接触垫的一半导体接触垫叠层。并且，多个选择栅极结构设置于半导体条叠层上，且位于半导体条上的半导体接触垫和存储单元之间。再者，这些选择栅极结构中的不同者将半导体条叠层中的不同的半导体条耦合在这些层中的半导体接触垫上。更进一步，一辅助栅极结构设置在半导体条叠层之上，且位于选择栅极结构和半导体接触垫叠层之间。

主权项

1.一种存储装置，包括：多个存储单元的一三维阵列，该三维阵列具有一个或多个区块(block)，这些区块包括：多个层，这些层包括多个半导体条，这些半导体条自一半导体接触垫延伸，设置这些层以使得这些半导体条形成多个半导体条叠层以及多个该半导体接触垫的一半导体接触垫叠层；多个选择栅极结构，设置在这些半导体条叠层上，且位于这些半导体条上的该半导体接触垫和这些存储单元之间，这些选择栅极结构中的不同者将这些半导体条叠层中的不同的这些半导体条与这些层中的这些半导体接触垫耦合；以及一辅助栅极结构，设置在这些半导体条叠层上，且位于这些选择栅极结构和该半导体接触垫叠层之间。