[发明专利]一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法

摘要

本发明提供了一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法。该转接板包括多个高深宽比的垂直TSV通孔、绝缘层、再布线层，所述转接板具有相对的第一表面和第二表面；所述TSV为直径5～150μm，深宽比约10:1，垂直贯穿所述转接板的第一表面和第二表面的垂直通孔；所述绝缘层保型覆盖整个衬底表面及TSV侧壁；所述再分布线层在所述转接板第一表面和第二表面。相应地，本发明详细描述了该转接板的制作步骤。本发明可以有效的避免TSV尺寸太小带来的背面绝缘层不连续、背面绝缘层开裂，以及小尺寸TSV侧壁种子层金属生长过快导致快速封口而带来TSV内存空洞的问题，能够提高含高深宽比TSV的转接板的成品率和电学可靠性。

主权项

一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：a)提供转接板，所述转接板具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面光刻并制作高深宽比的TSV；b)将所述转接板的第二表面减薄，使得TSV孔贯穿所述转接板的第一表面和第二表面；c)在所述转接板的第一表面、第二表面以及TSV侧壁制作均匀的绝缘层；d)在制备好绝缘层的转接板第一表面制备RDL；e)提供衬片，所述衬片具有相对的第一表面和第二表面，在所述衬片的第一表面上淀积释放层和种子层；f)采用BCB图形化键合，将转接板第一表面与淀积释放层和种子层后的衬片第一表面进行面对面晶圆键合；g)采用自底向上电镀铜的方式对TSV进行电镀填充；h)在制备好绝缘层的转接板第二表面制备RDL；i)通过解键合将所述的转接板和所述的衬片分离，得到含高深宽比TSV的转接板。