[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：在去除部分第一阻挡材料层，形成露出覆盖在栅极，以及部分导电层的第一阻挡层，并在第一阻挡层露出的栅极以及导电层上形成金属硅化物层后，在所述半导体衬底上形成填充层。所述填充层填充在去除部分第一阻挡材料层过程中，因为去除了部分侧墙致使在侧墙和栅极之间形成的缺口。从而提高后续形成的半导体器件的导电层和栅极之间的绝缘性，以避免后续使用过程中，出现因为侧墙和栅极之间的缺口从而造成导电层和栅极被击穿的缺陷的现象，从而进一步降低栅极和导电层之间被击穿的概率，提高后续形成的半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成位于半导体衬底上的栅极、位于栅极侧壁的侧墙，以及位于所述栅极两侧的半导体衬底中的源极和漏极；在所述半导体衬底上形成导电层，所述导电层至少覆盖所述源极或是漏极，且露出部分栅极以及栅极一侧的部分侧墙，在所述导电层、栅极和侧墙之间形成开口；在所述半导体衬底上形成第一阻挡材料层，所述第一阻挡材料层覆盖所述导电层、栅极和侧墙；去除部分所述第一阻挡材料层，以形成露出所述栅极和部分导电层的第一阻挡层，在去除部分所述第一阻挡材料层时，去除所述开口所露出的部分侧墙，在侧墙位置处的栅极侧壁上形成缺口；在露出的栅极和导电层表面形成金属硅化物层；在形成所述金属硅化物层后，在所述半导体衬底上形成填充层，所述填充层填充所述缺口；在所述半导体衬底上形成介质层，用以形成互连结构。