[发明专利]用于三维竖直堆叠阻变存储器抑制IR drop电压降和读写干扰的架构和操作算法在审
| 申请号： | 201510215796.7 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106205681A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;薛晓勇 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体为针对三维竖直堆叠阻变存储器(3D VRRAM)提出能够有效抑制IR drop电压降和读写干扰的单元结构、阵列架构和操作算法。针对3D VRRAM中存在的潜行通路(sneaking path)对读写操作的干扰问题，提出了一种采用双向二极管(bidirectional diode，2D)作为辅助选通的2D1R单元结构来减小这种干扰。针对3D VRRAM中的IR drop电压降过大的问题，本发明提出采用shunting技术来减小IR drop电压降。另外，本发明提出采用参考plane作为读参考来克服IR drop电压降对读操作的影响，并提出相应的读操作方法及读电路。而针对IR drop电压降对写操作的影响，本发明提出了Write-Verify(写验证)技术。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 竖直 堆叠 存储器 抑制 ir drop 电压 读写 干扰 架构 操作 算法 | ||
【主权项】：
一种用于竖直堆叠的三维阻变存储器(3D VRRAM)的单元结构，其特征在于：该单元结构包含一个阻变存储单元和一个背对背的双向二极管(bidirectional diode，2D)，其中阻变存储单元的一端接竖直电极，另一端接双向二极管的一端，双向二极管的一端接阻变存储单元的一端，另一端接水平电极。
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