[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510215854.6 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206691B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供具有鳍部的半导体衬底；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部表面形成源极材料层和漏极材料层；在半导体衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成第一介质层；在第一介质层内形成底部露出源极材料层的第一源极通孔和底部露出漏极材料层的第一漏极通孔；在第一源极通孔底部的源极材料层上形成第一金属层；在第一漏极通孔底部的漏极材料层上形成第二金属层；对第一金属层下的源极材料层和第二金属层下的漏极材料层进行势垒降低离子注入；对第一金属层和第二金属层进行第一退火处理，分别形成源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层。采用本发明的形成晶体管的方法能够提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的顶部和侧壁；在所述栅极结构两侧的鳍部表面形成源极材料层和漏极材料层；在所述半导体衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成第一介质层；在所述第一介质层内形成底部露出所述源极材料层的第一源极通孔和底部露出所述漏极材料层的第一漏极通孔；在所述第一源极通孔底部的所述源极材料层上形成第一金属层；在所述第一漏极通孔底部的所述漏极材料层上形成第二金属层；对所述第一金属层下的源极材料层和第二金属层下的漏极材料层进行势垒降低离子注入；对第一金属层和第二金属层进行第一退火处理，分别形成源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层。
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