[发明专利]存储器结构的形成方法

摘要

一种存储器结构的形成方法，包括：提供包括器件区和外围区的衬底；在衬底表面形成自器件区延伸至外围区表面的若干栅极结构，栅极结构横跨于若干有源区表面，栅极结构两侧分别具有源区沟槽和漏区沟槽；在衬底表面形成第一介质层；在器件区的源区沟槽内形成源区互连线；在源区互连线、第一介质层和栅极结构表面形成第二介质层；在第二介质层内形成若干第一通孔；在第一通孔的侧壁表面形成第三阻挡层；去除外围区的第一通孔底部的第一阻挡层和第一介质层，形成控制栅通孔和漏区通孔；在漏区通孔内形成漏区插塞，在控制栅通孔内形成控制栅插塞。所形成的存储器结构形貌良好、性能稳定、可靠性提高。

主权项

1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和外围区，所述器件区的衬底内具有若干隔离结构，相邻隔离结构之间的衬底内具有源区；在所述衬底表面形成自器件区延伸至外围区表面的若干栅极结构，所述栅极结构横跨于若干有源区表面，所述栅极结构两侧分别具有源区沟槽和漏区沟槽，所述源区沟槽和漏区沟槽底部暴露出器件区和外围区的有源区和隔离结构表面，所述栅极结构包括：位于衬底有源区表面的第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的浮栅层、位于浮栅层和隔离结构表面的第二栅介质层、位于第二栅介质层表面的控制栅层、以及位于控制栅层表面的第一阻挡层；在所述源区沟槽底部的有源区内形成源区，在所述漏区沟槽底部的有源区内形成漏区；在衬底和隔离结构表面形成第一介质层，所述第一介质层的表面与栅极结构的顶部表面齐平；去除器件区的源区沟槽内的第一介质层；在去除器件区的源区沟槽内的第一介质层之后，在所述器件区的源区沟槽内形成源区互连线；在所述源区互连线、第一介质层和栅极结构表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成若干第一通孔，位于器件区的第一通孔暴露出漏区表面的第一介质层，位于外围区的第一通孔暴露出部分栅极结构顶部；在所述第一通孔的侧壁表面形成第三阻挡层；去除外围区的第一通孔底部的第一阻挡层，在第二介质层和栅极结构内形成暴露出外围区内控制栅层的控制栅通孔；在形成第三阻挡层之后，去除器件区第一通孔底部的第一介质层，在第一介质层和第二介质层内形成暴露出器件区内漏区的漏区通孔；在所述漏区通孔内形成漏区插塞，在所述控制栅通孔内形成控制栅插塞。