[发明专利]一种CMOS器件中栅极金属和接触孔金属的制备方法

摘要

本发明公开了一种CMOS器件中栅极金属和接触孔金属的制备方法，包括在以高K介质和多晶硅为栅极的CMOS结构上覆盖第一层间介质隔离层，并平坦化至多晶硅露出，光刻定义接触孔位置，刻蚀形成接触孔，去除栅极内的多晶硅，形成栅极沟槽，在栅极沟槽和接触孔上依次覆盖第一金属、第二金属作为栅极功函数金属、接触孔扩散阻挡层和栅极金属、接触孔金属，对第二金属进行平坦化,采用光刻和刻蚀在栅极沟槽和接触孔位置上方形成凸起的第二金属立柱，在第二金属立柱上覆盖刻蚀阻挡层，生长第二层间介质隔离层并进行平坦化，将第二金属立柱露出。本发明可减少对器件性能的影响，实现栅极金属和接触孔金属的一次性成型，减少工艺步骤。

主权项

一种CMOS器件中栅极金属和接触孔金属的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一以高K介质和多晶硅为栅极的CMOS结构，在所述CMOS结构上覆盖第一层间介质隔离层，并CMP平坦化至多晶硅露出；步骤S02：通过光刻定义出接触孔的位置，并刻蚀形成接触孔；去除栅极内的多晶硅，形成栅极沟槽；步骤S03：在所述栅极沟槽和接触孔上覆盖第一金属作为栅极功函数金属及接触孔扩散阻挡层，然后，生长第二金属作为栅极金属及接触孔金属；步骤S04：对所述第二金属进行CMP平坦化,采用光刻和刻蚀依次去除不需要的第二金属和第一金属，以在栅极沟槽和接触孔位置上方形成凸起的第二金属立柱；步骤S05：在所述第二金属立柱上覆盖刻蚀阻挡层，然后，生长第二层间介质隔离层并进行CMP平坦化，将所述第二金属立柱露出。