[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510215899.3 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206406B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质材料层，所述低K介质材料层中还形成有金属层；在所述低K介质材料层中形成第一接触孔和第二接触孔，以露出所述金属层；在所述第一接触孔和所述第二接触孔中依次沉积形成第一阻挡层和第二阻挡层；采用惰性气体轰击所述第一接触孔和所述第二接触孔的底部；在所述第一接触孔和所述第二接触孔中沉积形成第三阻挡层。该方法降低了与下层金属接触面积较小的接触孔和接触面积较大的接触孔的电阻，同时对器件电子迁移率的性能没有影响，最终降低了半导体器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质材料层，其中，所述低K介质材料层中还形成有金属层；在所述低K介质材料层中形成第一接触孔和第二接触孔，以使所述第一接触孔和所述第二接触孔分别露出位于底部的所述金属层，其中所述第一接触孔与所述金属层的接触面积较所述第二接触孔与所述金属层的接触面积小；在所述第一接触孔和所述第二接触孔中依次沉积形成第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的材料包括富含氮的氮化钽；采用惰性气体轰击所述第一接触孔和所述第二接触孔的底部，以使所述第一接触孔和所述第二接触孔底部的所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的厚度变薄；在所述第一接触孔和所述第二接触孔中沉积形成第三阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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