[发明专利]一种晶圆厚度的测量方法在审
| 申请号： | 201510216036.8 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206342A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆厚度的测量方法。所述方法包括步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。本发明的优点在于：1、提高了研磨厚度量测精准度。2、为后续其他工艺提供了准确的数据和晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 厚度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆厚度的测量方法，包括：步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
