[发明专利]镍钴二元正极材料前驱体制备方法以及该法制得镍钴二元正极材料前驱体有效
申请号: | 201510216536.1 | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN104779388B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 黄海翔;池田一崇;宋文锋;公伟伟;宋振伟;陈敏 | 申请(专利权)人: | 湖南瑞翔新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/525 | 分类号: | H01M4/525;H01M4/1397 |
代理公司: | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人: | 黄子平 |
地址: | 410100 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种镍钴二元正极材料前驱体制备方法以及该法制得镍钴二元正极材料前驱体,本发明提供的镍钴二元正极材料前驱体制备方法通过调整反应前期溶液的pH值,使所得溶液中镍钴二元正极材料前驱体晶核粒径呈正态分布,之后再以所得溶液为底液,进行后续反应,调整后续制备条件,使得晶核在该分布情况下仅实现粒径均衡增大生长,从而使得采用该方法得到的镍钴二元正极材料前驱体粒径呈正态分布。 | ||
搜索关键词: | 二元 正极 材料 前驱 体制 方法 以及 法制 | ||
【主权项】:
一种镍钴二元正极材料前驱体制备方法,其特征在于,包括以下步骤:微粉消除工序:以使30℃液温基准下的溶液pH值成为10.2~12.5的方式,对至少包含含镍离子供给体和含钴离子供给体的核生成用水溶液进行控制,从而消除反应液中的微粉,得到晶核粒径呈正态分布的成核底液;以及粒子生长工序:以使30℃液温基准下的溶液pH值成为10.2~12.5的方式,对所述成核底液进行控制,从而使所述成核底液中的核生长,得到所述镍钴二元正极材料前驱体;所述微粉消除工序的核生成用水溶液中的水为纯水;所述微粉消除工序还包括向所述底液中同时通入镍钴混合液、络合剂和pH调节剂后在30~80℃下进行共沉淀反应,搅拌转速为150~900r/分钟;所述镍钴混合液中金属元素摩尔浓度为1.0~3.0mol/L;所述络合剂用于将所述核生成用水溶液中氨根离子摩尔浓度控制在0.05~0.15mol/L。
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