[发明专利]存储器测试数据产生电路与方法在审

专利信息
申请号: 201510216617.1 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN106205727A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 张琦昕;林政南;陈忠敬 申请(专利权)人: 晨星半导体股份有限公司
主分类号: G11C29/20 分类号: G11C29/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐伟
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种存储器测试数据产生电路与方法,用来产生多个测试数据。该些测试数据藉一存储器控制器经由多个通道耦接于一存储器以对该存储器进行测试。该存储器测试数据产生电路包含:多个计数器,用来产生多个计数值;以及一数据重复及组合单元,依据该多个计数值、该存储器测试数据产生电路与该存储器控制器之间的位宽度、以及该存储器控制器与该存储器之间的位宽度产生该些测试数据;其中,每一通道的测试数据系周期性的相同数据数列。
搜索关键词: 存储器 测试数据 产生 电路 方法
【主权项】:
一种存储器测试数据产生电路,用来产生多个测试数据,该些测试数据藉一存储器控制器经由多个通道耦接于一存储器以对该存储器进行测试,该存储器测试数据产生电路包含:多个计数器,用来产生多个计数值;以及一数据重复及组合单元,依据该多个计数值、该测试数据产生电路与该存储器控制器之间的位宽度、以及该存储器控制器与该存储器之间的位宽度产生该些测试数据;其中,每一通道的测试数据是周期性的相同数据数列。
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