[发明专利]FinFET结构以及用于制造FinFET结构的方法有效
| 申请号： | 201510216725.9 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206716B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;庄丽云;李健玮;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET结构，包括鳍和围绕鳍的第一部分的栅极。鳍的第一部分中的掺杂剂浓度低于约1E17/cm3。FinFET结构还包括围绕鳍的第二部分的绝缘层。鳍的第二部分的掺杂剂浓度大于约5E18/cm3。绝缘层包括下层和上层，并且下层设置在连接鳍的衬底上方并且具有大于约1E19/cm3的掺杂剂浓度。本发明还涉及FinFET结构以及用于制造FinFET结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET结构，包括：鳍；以及围绕所述鳍的第一部分的栅极；绝缘层，围绕所述鳍的第二部分，其中，所述鳍的第一部分位于所述鳍的第二部分上方，其中，所述鳍的所述第一部分中的掺杂剂浓度低于1E17/cm3，其中，所述绝缘层包括下层和上层，所述下层的掺杂剂浓度大于所述上层的掺杂剂浓度。
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