[发明专利]一种高速CMOS图像传感器

摘要

本发明公开了一种高速CMOS图像传感器，它包括钳位光电二极管、浮空扩散节点、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和行选择晶体管；复位晶体管和源跟随晶体管的漏极都与电源电压相连，所述源跟随晶体管的源极与行选择晶体管的漏极相连，所述行选择晶体管的源极接输出列总线，所述复位晶体管的源极和源跟随晶体管的栅极分别经浮空扩散节点、电荷传输晶体管与钳位光电二极管相连，所述钳位光电二极管包括P型杂质衬底、P型重掺杂钳位层和N型埋层，所述P型杂质衬底内从上至下依次设有P型重掺杂钳位层和N型埋层，所述N型埋层的宽度从靠近电荷传输晶体管一侧向另一侧逐渐变窄，所述P型重掺杂钳位层覆盖住N型埋层并直接与P型杂质衬底相连。

主权项

一种高速CMOS图像传感器，包括钳位光电二极管、浮空扩散节点、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和行选择晶体管；复位晶体管和源跟随晶体管的漏极分别与电源电压相连，所述源跟随晶体管的源极与行选择晶体管的漏极相连，所述行选择晶体管的源极接输出列总线，所述复位晶体管的源极和源跟随晶体管的栅极分别经浮空扩散节点、电荷传输晶体管与钳位光电二极管相连，所述钳位光电二极管包括P型杂质衬底、P型重掺杂钳位层和N型埋层，所述P型杂质衬底内从上至下依次设有P型重掺杂钳位层和N型埋层，其特征在于，所述N型埋层的宽度从靠近电荷传输晶体管一侧向另一侧逐渐变窄，所述P型重掺杂钳位层覆盖住所述N型埋层并直接与P型杂质衬底相连。